Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TK65S04N1L,LQ

MOSFET N-CH 40V 65A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
TK65S04N1L

TK65S04N1L,LQ Hakkında

TK65S04N1L,LQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 65A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4.3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount DPAK paketinde tasarlanmıştır. DC motor kontrol devreleri, güç kaynakları, LED sürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Maksimum 175°C çalışma sıcaklığında 107W güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 65A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2550 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Supplier Device Package DPAK+
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 300µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok