Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK65G10N1,RQ
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK65G10N1
TK65G10N1,RQ Hakkında
TK65G10N1,RQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 65A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket formatında sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 4.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±20V gate-source gerilimi aralığında çalışır ve 150°C maksimum junction sıcaklığına dayanıklıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5400 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 32.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok