Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK65E10N1,S1X
MOSFET N CH 100V 148A TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK65E10N1
TK65E10N1,S1X Hakkında
Toshiba TK65E10N1,S1X, 100V 148A N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 4.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. 148A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 192W maksimum güç dağılımı ile yüksek akım uygulamalarına uygundur. 81nC gate charge ve 5400pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. Endüstriyel güç denetimi, motor sürücüleri, şarj devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. ±20V gate voltajı aralığında çalışır ve 150°C işletme sıcaklığına dayanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 148A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5400 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 192W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 32.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok