Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK62N60W,S1VF
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK62N60W
TK62N60W,S1VF Hakkında
TK62N60W,S1VF, Toshiba tarafından üretilen 600V N-kanal MOSFET transistördür. Super Junction teknolojisi ile tasarlanmış olup, 61.8A sürekli drain akımı kapasitesine ve 40mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, güç dönüşüm uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve endüstriyel güç elektronikleri sistemlerinde kullanılır. 600V drain-source gerilim derecelendirmesi ile yüksek gerilim uygulamalarına uygun olup, 150°C'ye kadar çalışabilir. Gate charge değeri 180nC @ 10V'tur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 61.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6500 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 400W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 30.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 3.1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok