Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK62J60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK62J60W
TK62J60W,S1VQ Hakkında
TK62J60W,S1VQ, Toshiba tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. Super Junction teknolojisine sahip bu bileşen, 61.8A sürekli dren akımı kapasitesine ve 38mOhm on-state dirençle (RDS(on)) yüksek güç uygulamalarında verimli çalışır. 10V gate sürüş voltajında çalışan transistör, 400W güç dağıtım kapasitesiyle endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrolü, şalter mode güç kaynakları ve diğer yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde kullanılır. ±30V gate-source voltaj aralığı ve 150°C maksimum işletme sıcaklığı ile güvenilir performans sağlar. TO-3P-3 paketlemesi tercih edilen montaj seçeneğidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 61.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6500 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 400W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38mOhm @ 30.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P(N) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 3.1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok