Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK60S10N1L,LXHQ
MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK60S10N1L
TK60S10N1L,LXHQ Hakkında
Toshiba TK60S10N1L,LXHQ, N-kanal MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj desteği ve 60A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6.11mΩ (10V, 30A) RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. ±20V gate voltaj aralığında çalışabilen bu transistör, motor kontrol devreleri, güç kaynakları, inverterler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bileşen, 175°C maksimum çalışma sıcaklığına ve 180W güç harcaması kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4320 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.11mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok