Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK60P03M1,RQ(S
MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK60P03M1
TK60P03M1,RQ(S Hakkında
TK60P03M1,RQ(S, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 60A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 6.4mOhm maksimum On-direnci ile düşük güç kaybı sağlayan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. DPAK (TO-252-3) yüzey montajı paketi ile PCB'ye entegrasyonu kolaydır. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında ve 63W güç tüketimi limitinde çalışabilir. Motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve diğer güç dönüştürme devrelerinde kullanıma uygundur. Gate kapasitanı 2700 pF, gate yükü maksimum 40 nC'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok