Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK60F10N1L,LXGQ
MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK60F10N1L
TK60F10N1L,LXGQ Hakkında
Toshiba TK60F10N1L,LXGQ, N-channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 60A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) SMD paket ile monte edilir. 6mΩ'luk düşük on-direnci (RDS(on)) ile enerji kaybını minimize eder. Güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 175°C'ye kadar çalışabilir ve 205W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4320 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 205W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.11mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SM(W) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok