Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK60D08J1(Q)
MOSFET N-CH 75V 60A TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK60D08J1
TK60D08J1(Q) Hakkında
TK60D08J1(Q), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 75V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipinde montajlanır. Maksimum 7.8mOhm (10V, 30A'de) on-state direnci, 86nC gate charge ve 5450pF input kapasitesine sahiptir. ±20V gate gerilimi aralığında çalışır ve 2.3V threshold gerilimi ile kontrol edilir. Anahtarlama, DC-DC konvertörler, motor kontrol ve enerji yönetimi devrelerinde uygulanır. 150°C maksimum junction sıcaklığında 140W güç dissipasyonu kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5450 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220(W) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok