Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK5R3E08QM,S1X
UMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHM
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK5R3E08QM
TK5R3E08QM,S1X Hakkında
Toshiba TK5R3E08QM,S1X, UMOS10 teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 80V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 5.3mΩ (@ 50A, 10V) düşük on-dirençi sayesinde enerji kaybını minimumda tutar. 150W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile güç dönüşüm uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde ve anahtarlama power supply sistemlerinde kullanılır. ±20V gate gerilimi aralığı ve 3.5V threshold gerilimi ile geniş uygulamalar için uygundur. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3980 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 700µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok