Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK5R1P08QM,RQ
UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK5R1P08QM
TK5R1P08QM,RQ Hakkında
Toshiba TK5R1P08QM,RQ, UMOS10 teknolojisi kullanılarak üretilmiş N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltajında çalışabilen bu bileşen, 84A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 5.1mOhm olan on-state direnci ile güç uygulamalarında verimli çalışma sağlar. DPAK (TO-252-3) yüzey montaj pakajında sunulan komponent, endüstriyel güç denetim devreleri, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 175°C maksimum çalışma sıcaklığında ve 104W güç dağıtım kapasitesinde tasarlanmıştır. 10V gate drive voltajında minimum 5.1mOhm RDS(on) değeri ile düşük kayıp işlemlere olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 84A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3980 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 42A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 700µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok