Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK5Q65W,S1Q
MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK5Q65W
TK5Q65W,S1Q Hakkında
TK5Q65W,S1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj ve 5.2A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 10V drive voltajında 1.22Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 60W maksimum güç dağıtımı ile güç elektronikleri uygulamalarında, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, elektrik pil yönetim sistemleri ve indüktif yük kontrol sistemlerinde kullanılır. 150°C çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. ±30V gate voltajı kapasitesi ve 3.5V threshold voltajı ile çeşitli endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.22Ohm @ 2.6A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok