Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK5Q60W,S1VQ
MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK5Q60W
TK5Q60W,S1VQ Hakkında
TK5Q60W,S1VQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 5.4A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. Super Junction teknolojisini kullanan bu bileşen, 900mΩ maksimum on-resistance değerine sahiptir. TO-251-3 (I-PAK) paketinde sunulan transistör, ±30V gate gerilim aralığında çalışır ve 150°C maksimum junction sıcaklığında kullanılabilir. 10.5nC gate charge ve 380pF input kapasitansı ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. 60W maksimum güç yayılımı kapasitesiyle, düşük-orta güç uygulamalarında sürücü, anahtar ve kontrol devreleri için kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok