Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK5P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK5P60W
TK5P60W,RVQ Hakkında
TK5P60W,RVQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 5.4A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılan bir güç transistörüdür. Super Junction teknolojisi sayesinde düşük on-dirençe (900mOhm @ 2.7A, 10V) ve hızlı anahtarlama özelliklerine sahiptir. DPAK (TO-252-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 150°C'ye kadar çalışabilir ve 60W güç yayabilir. Güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 10.5nC gate charge ve 380pF giriş kapasitansı ile kontrol kolaylığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok