Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TK5P53D(T6RSS-Q)

MOSFET N-CH 525V 5A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
TK5P53D

TK5P53D(T6RSS-Q) Hakkında

TK5P53D(T6RSS-Q), Toshiba tarafından üretilen bir N-Channel MOSFET transistörtür. 525V drain-source gerilimi ve 5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi üstlenmek üzere tasarlanmıştır. 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimliliği destekler. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan komponent, 80W güç kayıpıyla çalışabilir. Gövde sıcaklığında 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında stabildir. 11nC gate charge ve 540pF input capacitance özellikleri hızlı switching uygulamalarını destekler. Güç kaynakları, motorcu sürücüler, endüstriyel konvertörler ve yüksek gerilim anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 525 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 540 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok