Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK58E06N1,S1X
MOSFET N-CH 60V 58A TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK58E06N1
TK58E06N1,S1X Hakkında
TK58E06N1,S1X, Toshiba tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 58A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, 5.4mΩ @ 29A, 10V üzerinde düşük on-state dirençle karakterizedir. 110W maksimum güç dissipasyonu ile güç kaynakları, motor sürücüler, PWM kontrol devreleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. ±20V gate voltajı ve 4V threshold voltajı ile geniş uygulama yelpazesini destekler. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C olup yüksek güç uygulamalarında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 58A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3400 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 29A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok