Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK58A06N1,S4X
MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK58A06N1
TK58A06N1,S4X Hakkında
Toshiba TK58A06N1,S4X, 60V 58A kapasitesinde N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 5.4mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 46nC gate charge ve 3400pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama operasyonlarına uygundur. Maksimum 35W güç tüketimine ve 150°C çalışma sıcaklığına sahiptir. Güç dönüştürme uygulamaları, motor sürücüler, DC-DC konvertörler, anahtarlamalı güç kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 58A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3400 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 29A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok