Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK56E12N1,S1X
MOSFET N CH 120V 56A TO-220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK56E12N1
TK56E12N1,S1X Hakkında
TK56E12N1,S1X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 120V drain-source voltaj kapasitesi ve 56A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 69nC gate charge ve 4200pF input capacitance özellikleri hızlı komütasyon gerektiren devrelerde tercih edilir. ±20V maksimum gate-source voltajı tolerans alanına sahiptir. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 150°C maksimum junction sıcaklığında 168W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4200 pF @ 60 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 168W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 28A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok