Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK56A12N1,S4X
MOSFET N-CH 120V 56A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK56A12N1
TK56A12N1,S4X Hakkında
TK56A12N1,S4X, Toshiba tarafından üretilen bir N-Channel MOSFET transistördür. 120V drain-source gerilim (Vdss) ve 56A sürekli dren akımı (Id) kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipinde gelen bu bileşen, maksimum 45W güç tüketebilir ve 10V sürülme geriliminde 7.5mOhm'luk düşük RDS(on) değerine sahiptir. Kapı yükü (Qg) 69nC, giriş kapasitanması ise 4200pF'dir. Motor kontrol, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılmaktadır. ±20V maksimum kapı-kaynak gerilim aralığında çalışabilen bu transistör, -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4200 pF @ 60 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 28A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok