Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK560P65Y,RQ
MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK560P65Y
TK560P65Y,RQ Hakkında
TK560P65Y,RQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltajı ve 7A sürekli drain akımı ile yüksek voltajlı uygulamalarda anahtarlama görevini gerçekleştirir. TO-252 (DPAK) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 560mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp özelliği sağlar. 150°C'ye kadar çalışabilen TK560P65Y, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, inverter uygulamaları ve anahtarlamalı güç dönüştürücülerinde yaygın olarak kullanılır. ±30V kapı voltajı aralığında ve 4V gate-source eşik voltajı ile güvenilir komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 240µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok