Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK560A60Y,S4X
MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK560A60Y
TK560A60Y,S4X Hakkında
Toshiba TK560A60Y,S4X, 600V N-Channel MOSFET olup 7A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. 560mΩ maksimum on-state direnci (RDS(on)) ile enerji kaybı minimize edilir. 14.5nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sağlar. ±30V maksimum gate-source gerilimi geniş kontrol aralığı sunar. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 30W güç dağılım kapasitesi ile güç dönüştürme, inverter ve kontrol devrelerinde uygulanır. Through-hole montaj tipi standart PCB üzerinde kolay entegrasyona olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 240µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok