Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK55S10N1,LXHQ
MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK55S10N1
TK55S10N1,LXHQ Hakkında
Toshiba TK55S10N1,LXHQ, 100V 55A N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 DPak paketinde sunulan bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere tasarlanmıştır. 6.5mOhm maksimum On-direnç (Rds On) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. 10V gate sürüş voltajında çalışırken 55A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 175°C'ye kadar sıcaklık toleransı ile güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörler ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Gate eşik voltajı (Vgs(th)) 4V @ 500µA olup, hızlı anahtarlama ve düşük geçiş kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3280 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 157W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 27.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok