Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK55D10J1(Q)
MOSFET N-CH 100V 55A TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK55D10J1
TK55D10J1(Q) Hakkında
TK55D10J1(Q), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 55A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-220 paketinde sunulan bu transistör, 10.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. 140W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile motor kontrol, AC/DC dönüştürücü, enerji yönetimi ve güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 150°C çalışma sıcaklığına sahip olan bileşen, endüstriyel ve tüketici elektronik sistemlerinde anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde yer alır. Gate charge 110nC ve 5700pF giriş kapasitanslığı ile hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır. Ürün artık üretilmemekte olup (obsolete durumdadır).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5700 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 27A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220(W) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok