Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK50P03M1(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 30V 50A DP
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK50P03M1
TK50P03M1(T6RSS-Q) Hakkında
TK50P03M1(T6RSS-Q), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ile 50A sürekli drenaj akımı (Id) sağlar. 7.5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci özelliğine sahiptir. TO-252 (D-Pak) yüzey montaj paketi ile tasarlanmıştır. 150°C işletme sıcaklığı ve 47W güç dağıtım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC/DC konvertörleri ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. ±20V maksimum gate-source gerilim ile geniş kontrol aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 47W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok