Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK4R4P06PL,RQ
MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK4R4P06PL
TK4R4P06PL,RQ Hakkında
TK4R4P06PL,RQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 58A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4.4mΩ on-direnç (@10V, 29A) değeri ile düşük güç kaybında çalışır. DPAK (TO-252-3) yüzey montaj paketinde sunulmakta olup, 175°C maksimum işletme sıcaklığında güvenli kullanım sağlar. Güç yönetimi, anahtarlama devreler, motor kontrol ve DC-DC konverterlerde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 58A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3280 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 87W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 29A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok