Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK4R3E06PL,S1X
MOSFET N-CH 60V 80A TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK4R3E06PL
TK4R3E06PL,S1X Hakkında
TK4R3E06PL,S1X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim (Vdss) ve 80A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 7.2mΩ düşük on-state direnci (Rds On) ile enerji kaybını minimalize eder. Maksimum 175°C işletme sıcaklığına ve 87W güç dissipasyonuna dayanabilir. Gate charge değeri 48.2nC olup hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3280 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 87W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 15A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok