Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK4P60DB(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK4P60DB
TK4P60DB(T6RSS-Q) Hakkında
TK4P60DB(T6RSS-Q), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 3.7A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç kaybını minimize eder. TO-252 (DPak) SMD pakette sunulan bu bileşen, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında geniş kullanım alanına sahiptir. ±30V gate gerilim toleransı ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile geniş uygulama yelpazesine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 80W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 1.9A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok