Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK4P55D(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 550V 4A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK4P55D
TK4P55D(T6RSS-Q) Hakkında
Toshiba TK4P55D(T6RSS-Q), 550V drain-source voltajında çalışan N-Channel MOSFET transistördür. Maksimum 4A sürekli dren akımı ve 80W güç tüketimi kapasitesi ile tasarlanmıştır. 10V gate voltajında maksimum 1.88Ohm RDS(on) değeri sayesinde düşük iletim kaybı sağlar. ±30V gate-source voltaj aralığında işletilir ve 150°C'ye kadar sıcaklıkta çalışabilir. Surface Mount DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu bileşen, güç denetim devreleri, anahtarlama uygulamaları, inverterler ve yüksek voltaj DC-DC konverterlerinde yaygın olarak kullanılır. 11nC gate charge ve 490pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 80W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.88Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok