Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TK4P55DA(T6RSS-Q)

MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
TK4P55DA

TK4P55DA(T6RSS-Q) Hakkında

TK4P55DA(T6RSS-Q), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 550V drain-source gerilimi ve 3.5A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde, motor kontrol uygulamalarında ve offline SMPS tasarımlarında yer alır. 10V gate geriliminde 2.45Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 80W güç tüketebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 550 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.45Ohm @ 1.8A, 10V
Supplier Device Package D-Pak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok