Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK4K1A60F,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK4K1A60F
TK4K1A60F,S4X Hakkında
TK4K1A60F,S4X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj kapasitesi ve 2A sürekli dren akımı özellikleriyle güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 4.1Ω maksimum On-Resistance (Rds On) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS), DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve diğer güç elektronik devrelerde yaygın olarak uygulanır. ±30V gate voltaj aralığı ve -40°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığıyla çeşitli endüstriyel uygulamalara uyumludur. Through-hole montaj tipi, konvansiyonel PCB tasarımlarında kolay entegrasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 270 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 190µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok