Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TK4A65DA(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 650V 3.5A TO220SIS

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
TK4A65DA

TK4A65DA(STA4,Q,M) Hakkında

Toshiba TK4A65DA, 650V drain-source geriliminde çalışabilen N-channel MOSFET transistördür. 3.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü geriliminde 1.9Ω maksimum on-direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında ve 35W güç dağıtım kapasitesiyle tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9Ohm @ 1.8A, 10V
Supplier Device Package TO-220SIS
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok