Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK4A60DB(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK4A60DB
TK4A60DB(STA4,Q,M) Hakkında
TK4A60DB(STA4,Q,M), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 3.7A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 2Ω maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde ve güç dönüştürme uygulamalarında düşük kayıp sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel motorlar, enerji kaynakları, şarj devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. ±30V maksimum gate-source gerilimi ve 4.4V eşik voltajı ile kontrol devrelerinde kullanılabilir. 150°C maksimum işletme sıcaklığında 35W güç dağıtımı kapasitesi bulunmaktadır. Lütfen not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 1.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok