Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK4A55D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 4A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK4A55D
TK4A55D(STA4,Q,M) Hakkında
TK4A55D(STA4,Q,M), Toshiba tarafından üretilen 550V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 4A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 1.88Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 35W güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel güç anahtarlama uygulamalarında, SMPS devrelerde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. ±30V gate voltajı aralığı ve 4.4V threshold voltajı ile geniş çalışma koşullarına uyarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güvenilir anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.88Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok