Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK4A55DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 3.5A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK4A55DA
TK4A55DA(STA4,Q,M) Hakkında
TK4A55DA(STA4,Q,M), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 550V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 3.5A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 Through Hole paket tipinde sunulan bu transistör, endüstriyel güç kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları, DC-DC konverterleri, motor sürücü devreleri ve güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir. 2.45Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 150°C maksimum operasyon sıcaklığı ve 30W güç dağılım kapasitesiyle güvenilir uzun süreli çalışma sağlar. Gate charge 9nC olarak belirlenmiştir ve 4.4V threshold voltajı ile kontrol devrelerinde kolay driveleme imkânı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.45Ohm @ 1.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok