Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK4A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 4A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK4A50D
TK4A50D(STA4,Q,M) Hakkında
TK4A50D(STA4,Q,M), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V Drain-Source gerilim ve 4A sürekli drain akım kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş gerilimine göre 2Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 30W güç dağılımı kapasitesi ile açık-kapalı kontrol devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. Maksimum ±30V gate-source gerilim toleransı ve 150°C işletme sıcaklığı ile endüstriyel ve ticari seviye uygulamalara uygundur. Through-hole montajı sayesinde geleneksel PCB tasarımlarında kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok