Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK42E12N1,S1X
MOSFET N CH 120V 88A TO-220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK42E12N1
TK42E12N1,S1X Hakkında
TK42E12N1,S1X, Toshiba tarafından üretilen bir N-channel power MOSFET'tir. 120V drain-source gerilim (Vdss) ve 88A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 9.4mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 140W güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik sistemlerinde yüksek güç yönetimi gereksinimlerini karşılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 88A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3100 pF @ 60 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4mOhm @ 21A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok