Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK42A12N1,S4X
MOSFET N-CH 120V 42A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK42A12N1
TK42A12N1,S4X Hakkında
TK42A12N1,S4X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 120V drain-source voltajında 42A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 9.4mOhm maksimum on-dirençi ve 35W güç tüketimine kadir. 10V sürücü voltajında gate yükü 52nC ve giriş kapasitansi 3100pF'dir. ±20V maksimum gate-source voltajı ile kontrol edilebilen transistör, 150°C işletme sıcaklığına kadar çalışır. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrolü, güç dönüştürücü devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 42A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3100 pF @ 60 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4mOhm @ 21A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok