Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TK40S10K3Z(T6L1,NQ

MOSFET N-CH 100V 40A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
TK40S10K3Z

TK40S10K3Z(T6L1,NQ Hakkında

Toshiba TK40S10K3Z(T6L1,NQ, 100V/40A kapasiteli N-Channel MOSFET transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 18mΩ @ 20A/10V RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. 93W güç dissipasyonu kapasitesi, 175°C çalışma sıcaklığı ve ±20V gate voltajı, endüstriyel anahtarlama uygulamalarına uygun parametrelerdir. Gate charge 61nC @ 10V olup, güç kaynakları, motor kontrolü, invertör devreleri ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Son ürün (Last Time Buy) durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3110 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 93W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package DPAK+
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok