Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK40P03M1(T6RDS-Q)
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK40P03M1
TK40P03M1(T6RDS-Q) Hakkında
Toshiba tarafından üretilen TK40P03M1(T6RDS-Q), 30V drain-source gerilimi ve 40A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bir N-Channel MOSFET transistördür. DPAK (TO-252-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 10.8mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate eşik gerilimi (Vgs(th)) 100µA'de 2.3V olup, maksimum gate gerilimi ±20V'tur. 1150pF input kapasitansı ve 17.5nC gate yükü karakteristiği ile hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Güç dönüştürme, motor sürücü devreleri, şarj kontrol sistemleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi düşük voltaj yüksek akım uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Parça obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1150 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok