Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK40E10N1,S1X
MOSFET N CH 100V 90A TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK40E10N1
TK40E10N1,S1X Hakkında
TK40E10N1,S1X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 90A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipinde sağlanan bu transistör, düşük 8.2mΩ RDS(on) değeri ile ısıl kayıpları minimize eder. 10V gate geriliminde çalıştırılır ve maksimum 126W güç harcaması destekler. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±20V maksimum gate gerilimi aralığında güvenli çalışır ve 150°C'ye kadar işletim sıcaklığında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 126W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok