Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK40E06N1,S1X
MOSFET N-CH 60V 40A TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK40E06N1
TK40E06N1,S1X Hakkında
TK40E06N1,S1X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajı ile 40A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere tasarlanmıştır. 10.4mOhm maksimum on-direnç değeri ile verimli anahtarlama işlemini sağlar. 150°C'ye kadar çalışabilir ve 67W güç dağıtabilir. Gate kapasitanı 1700pF ve gate yükü 23nC'dir. Endüstriyel denetim sistemleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 67W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok