Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK40A10N1,S4X
MOSFET N-CH 100V 40A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK40A10N1
TK40A10N1,S4X Hakkında
Toshiba TK40A10N1,S4X, 100V 40A kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 through-hole paket ile sunulan bu bileşen, 8.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 49nC gate charge ve 3000pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemlerine uyumludur. ±20V maksimum gate-source gerilimi aralığında çalışabilen transistör, 150°C maksimum bağlantı noktası sıcaklığında 35W güç dağıtabilir. Endüstriyel uygulamalar, güç yönetimi, motor kontrol ve anahtarmalı güç kaynakları gibi alanlarda yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok