Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK3R9E10PL,S1X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK3R9E10PL
TK3R9E10PL,S1X Hakkında
Toshiba TK3R9E10PL,S1X, N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 100A sürekli drain akımı ve 100V drain-source gerilim kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 3.9mΩ tipik on-direnci (RDS(on)) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. Gate şarjı 96nC ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, motorlar, güç kaynakları, invertörler ve PWM kontrol devreleri gibi yüksek akım uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 230W güç dağılımı kapasitesi ve -40°C ile 175°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 96 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6320 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 230W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok