Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK3R3E08QM,S1X
UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK3R3E08QM
TK3R3E08QM,S1X Hakkında
TK3R3E08QM,S1X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilim derecesinde 120A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, 3.3mOhm (10V, 50A'de) düşük on-state direncine sahiptir. TO-220AB paketinde sunulan transistör, güç uygulamalarında anahtarlama işlevini yerine getirir. Maksimum 230W güç tüketimine ve 175°C çalışma sıcaklığına dayanır. Gate charge karakteristiği 110nC ve input kapasitansi 7670pF'dir. Motorlar, invertörler, DC-DC konvertörler, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7670 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 230W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok