Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK3R2E06PL,S1X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK3R2E06PL
TK3R2E06PL,S1X Hakkında
TK3R2E06PL,S1X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajında 100A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek akım anahtarlaması gerektiren uygulamalarda kullanılır. 3.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kondüksyon kaybı sağlar. TO-220-3 paket tipi ile direkt devre kartına monte edilebilir. Güç kaynağı tasarımları, motor sürücüleri, invertörler ve yüksek akım anahtarlama devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. ±20V gate voltaj aralığında çalışabilir ve 175°C'ye kadar işletme sıcaklığına dayanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 168W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 700µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok