Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TK3R1P04PL,RQ

MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
TK3R1P04PL

TK3R1P04PL,RQ Hakkında

Toshiba TK3R1P04PL,RQ, 40V nominal drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 58A kontinü drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 3.1mΩ maksimum on-state direnci (RDS(on)) ile düşük güç kaybı sağlar. DPAK (TO-252-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve yük yönetimi devreleri gibi uygulamalarda yer alır. ±20V maksimum gate gerilimi aralığında çalışır ve 175°C'ye kadar sıcaklıkta işletilir. 87W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 58A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4670 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 87W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 29A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 500µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok