Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK3P50D,RQ(S
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK3P50D
TK3P50D,RQ(S Hakkında
Toshiba TK3P50D,RQ(S, N-channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 10V sürü geriliminde 3Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. ±30V maksimum gate-source gerilimi ve 4.4V threshold gerilimi ile çalışır. Maksimum 60W güç tüketimi kapasitesine sahip olup, 150°C maksimum junction sıcaklığında işletim yapabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, motor kontrolü ve endüstriyel donanım gibi alanlarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok