Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK3A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK3A65D
TK3A65D(STA4,Q,M) Hakkında
TK3A65D(STA4,Q,M), Toshiba tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 3A sürekli dren akımı ve 2.25Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 650V drain-source gerilimi ile yüksek gerilim devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve güç dönüştürücülerde yer bulur. ±30V gate gerilim aralığı, 11nC gate charge ve 150°C çalışma sıcaklığı kapasitesi ile endüstriyel ve otoomotiv uygulamalarına uygun bir transistördür. Aktif üretimde olan bu bileşen, switching güç kaynakları, motor kontrolü ve DC-DC konvertörlerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.25Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok