Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TK3A65DA(STA4,QM)

MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
TK3A65DA

TK3A65DA(STA4,QM) Hakkında

TK3A65DA(STA4,QM), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source voltaj ve 2.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları (SMPS), motor kontrolü, invertörler ve diğer yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde uygundur. 2.51Ω maksimum RDS(on) değeri ile iletim kayıplarını minimalize eder. ±30V gate voltajı ve 4.4V threshold voltajı ile esnek sürücü gereksinimlerine sahiptir. 150°C maksimum junction sıcaklığında 35W güç yayılımına dayanabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.51Ohm @ 1.3A, 10V
Supplier Device Package TO-220SIS
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok