Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK3A60DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK3A60DA
TK3A60DA(STA4,Q,M) Hakkında
TK3A60DA, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim dayanımı ve 2.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile medium-voltage uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 30W maksimum güç disipasyonu ve 2.8Ω (1.3A, 10V koşullarında) RDS(on) değeri ile anahtarlama ve güç kontrolü devrelerinde etkindir. TO-220-3 paketlemesi ile düz soğutma yüzeyi sağlar. Endüstriyel kontrol sistemleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±30V maksimum gate-source gerilimi ile geniş işletim aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8Ohm @ 1.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok